DDR5 内存售价暴降 80%twitter 拳交，终于到了无脑下手的时候！

虽说 DDR5 已注定会成为接下来的主流，但照旧从褒贬区看到许多小伙伴儿留言默示：

家贫无以上新，然含泪固守 DDR4 矣！

好家伙，王人说 PC 硬件换代修订是一场耐久战，这尽然不假。

那么本着适合民心，我们今天就来给大伙儿共享下 DDR4 内存有哪些门谈。

其实甭管 DDR4 照旧 DDR5 我们在选购时需要预防，决定它性能最伏击的中枢只消一个，那就是 DRAM 芯片，也就是我们常说的内存颗粒。

DRAM 芯片关于一整条内存权重就好比显卡的 GPU 中枢。

尽管品牌旗舰定位和丐版显卡用料、散热范畴可以进出相配远大，但只消接管了团结中枢，那他们实践性能相反经常不会跳跃 5%。

不外哈，高性能内存条有无金属马甲以及致密的导热条目对性能阐发相似相比伏击。

回到 DRAM 芯片上，它决定了内存高频后劲以及另一项要道参数——内存时序。

内存频率当然是越高越好，内存读写性能也会越强。

而时序可以绵薄透露为内存操作反当令钟周期，它决定了内存的延长，时序越低延长越低。

疏淡是许多对内存延长明锐的游戏，相通频率不同期序的两条内存，其游戏性能阐发经常差距会极端显然。

大伙儿呢只需重心矜恤 CL、TRCD、TRP 和 TRAS这四个时序参数即可，它们正常用标志「-」离隔。

举例我们往往在内存宣传界面看到的 17-18-18-36 即代表该内存的主时序。

既然内存颗粒是决定内存性能的要道，老划定依然给环球带来了以下热点 DDR4 颗粒排名：

若口角要用一句话抽象：DDR4 内存颗粒可分两个声势，一个叫三星 B-die，一个叫其他。

特挑三星 B-die 是毫无疑问断档式最初，刚劲的超频后劲与极低时序阐发让它稳坐排名第一。

3600MHz 频率下 C14-14-14-28 仅仅它的基本盘，手动超频也能纵情作念到 4000+ 频率 C15-15-15-35。

次一级的就是普通三星 B-die 颗粒，不外缺憾的是这俩老哥照旧于数年前停产。

当今市面搭载此颗粒的内存照旧极端淡薄同期价钱高的离谱，不再具有性价比。

而普通用户能正常买到阐发还可以的颗粒包括国产长鑫特挑 A-die、海力士 CJR/DJR 以及镁光 C9 系列。

这些颗粒无数具备 3600MHz 频率 C18-19-19-38 的基本盘，超频亦然能纵情作念到 4000MHz 以上。

第三梯队三星 C-die、三星 D-die、南亚 A-die 等颗粒，主打一个开 XMP 踏实用，不再具备若干超频后劲。

至于更多其他名不见经传的颗粒，频率、时序经常目不忍视，不提也罢！

因此追忆来说，关于许多有一定入手才气的普通用户来说，搭载第二梯队的海力士 CJR/DJR、镁光 C9 等颗粒的 DDR4 内存无疑是性价比可以的选拔。

同期，搭载这些颗粒的内存厂家一般会标注出颗粒型号，举例阿斯加特、光威、金百达、玖合等部分 DDR4 会径直表明接管海力士 CJR 颗粒，很好辩认。

没珍爱标注的嘛，概况率接管混发颗粒，什么妖妖魔魅王人有，地谈看脸抽奖了！

新内存得手，许多小白用户在上机检讨没问题后便径直默许开用，这其实存在一个很大的误区。

因为主机电脑为了庸碌兼容性，正常会以 DDR4 运转频率 2400 或 2666MHz 默许运行。

而当今 DDR4 无数相沿 XMP（出厂前预写入一套超频文献），若是上机不开启 XMP 极端于白白失掉性能。

开启方法也很绵薄，我们只需在开机时按 Bios 启动快捷键参加主板 Bios（御三家主板无数为 Del 键，其他主板也可凭证型号上网查询）。

然后在 Bios 主界面或高档选项中掀开 XMP，临了按 F10 保存退出即可。

举例我手上的 16G*2 海力士 CJR 颗粒 DDR4 内存，默许频率为 2400MHz，时序 C17-17-17-39。

此时用 AIDA64 内存测试器用测得，内存读/写在 36000-37000MB/s 足下，延长 80ns 足下。

开启 XMP 后，频率为 3600MHz，时序 C16-20-20-38，内存电压 1.4V。

此时读/写在 53000-55000MB/s 足下，延长 60ns 足下。

可以看到，内存读写性能升迁高达 40% 以上，同期延长裁汰了 30% 以上。

若是乐意入手对内存超个频还有更大升迁。

以我手上这块华硕 B660 重炮手主板为例，参加 Bios 后关闭 XMP，按 F7 参加高档选拔，点开 Ai Tweaker 页面；

我们起初将内存比率模式和解为 1∶1 也就是 G1 不分频模式；

然后和解内存频率，这个凭证大伙儿内存颗粒来选拔，若是是上图第二梯队颗粒基本上 4000MHz 没啥罪戾；

咱手中 CJR 颗粒过程尝试和解为 4200MHz；

下拉找到内存电压选项，手动缔造放宽至 1.45V；

内存电压需凭证内存颗粒、频率、时序和体质来综合选拔，通例内存不疏远跳跃 1.45V，过高电压会导致发烧加多以致点燃风险。

诚然，三星 B-die 颗粒是出了名的相对相比耐高压，可符合放宽至 1.5V。

接着复返上拉找到内存时序选项；

将第一时序放宽至 C19-22-22-42，并将 DRAM Command Rate 选项和解为 2N，其他选项毋庸动；

时序的和解相似需要凭证不同颗粒、频率和体质来决定，海力士 CJR 为了踏实可以商量缔造为内存电压 1.45V、频率 4000MHz，时序 C19-22-22-42。

以上选项修改完成后按 F10 保存重启。

再次测试，此时内存读/写进一步升迁至 62000MB/s 足下，延长来到 54ns 足下。

诚然了，若是欢乐花工夫折腾，对内存频率、时序进行优化，同期压紧第一时序后的小参，内存性能和延长阐发升迁还会愈加显然。

另外，谨记超频后聚合内存烤鸡器用 TM5 测试内存踏实性哦！

电脑硬件如 CPU、显卡、内存条在合理范围内超频，可获取一部分额外性能的同期不会对硬件酿成损坏。

但需要预防twitter 拳交，任何超频当作王人会伴跟着一定风险，因此关于小白用户热烈疏远多学习掌持规划学问后再进行操作。